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熱沉材料，由于要與芯片緊密貼裝，需要考慮高的熱導率和匹配的熱膨脹系數。金剛石熱沉材料具有高熱導率、低膨脹的優點，密度小，可鍍覆性和可加工性較好，可以取代目前廣泛應用的鎢銅、AlSiC、AlN等材料。CVD金剛石熱沉片金剛石具有帶隙寬、熱導率高、擊穿場強高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗輻照等優越性能，在高功率、高頻、高溫領域等方面發揮重要作用，被視為目前*有發展前途的寬禁帶半導體材料之一。

目前金剛石熱沉片已廣泛應用于功率器件、射頻器件、電子器件等大功率、低損耗、高頻等領域。安必成正在大力推進金剛石熱沉片產業化發展，經過多年研究實踐現已可提供鍍金、覆銅等金剛石熱沉片成熟產品。