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納米氧化鉿 二氧化鉿 HfO2

AM-HfO2-001-1

直接聯(lián)系

浙江亞美納米科技有限公司

浙江嘉興

產(chǎn)品規(guī)格型號
參考報價:

1萬元以下

品牌:

亞美納米

型號:

AM-HfO2-001-1

關(guān)注度:

2935

范圍(量程或細度):

0.05-0.1

創(chuàng)新點:

溶膠凝膠法制備納米二氧化鉿

應(yīng)用行業(yè):

二氧化鉿(HfO2)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起高度的關(guān)注,由于它可能替代目前硅基集成電路的核心器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2),以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸問題。

典型用戶:

工廠、軍工單位、高校及科研院所

產(chǎn)品介紹

產(chǎn)品介紹

二氧化鉿(HfO2)是鉿元素的一種氧化物,常溫常壓下為白色固體。白色粉末,有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu),熔點2780~2920K。沸點5400K。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃。不溶于水、鹽酸和硝酸,可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。

應(yīng)用方向
二氧化鉿(HfO2)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起高度的關(guān)注,由于它可能替代目前硅基集成電路的核心器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2),以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸問題。
貯存條件
本品應(yīng)密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中,不宜長久暴露于空氣中,防受潮發(fā)生團聚,影響分散性能和使用效果,另應(yīng)避免重壓,按照普通貨物運輸。

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納米氧化鉿 二氧化鉿 HfO2

AM-HfO2-001-1

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納米氧化鉿 二氧化鉿 HfO2 - 2935
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