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產(chǎn)品名稱中文名稱: 機械剝離二氧化硅基底單層二硫化鉬

英文名稱：Mechanical exfoliation MoS2 on sapphire substrate

性質(zhì)

形態(tài)：薄膜

參數(shù)

基底：藍(lán)寶石基底尺寸：10 mmx10 mm

MOS2面積: ＞10 μm2

應(yīng)用

先豐納米**推出機械剝離制備的二硫化鉬，相比較鋰插層制備的單層類石墨烯材料，該類材料具有缺陷少，優(yōu)異的光學(xué)性質(zhì)，可以研究層數(shù)和熒光效應(yīng)，此外，由于保持了原有晶格結(jié)構(gòu)，所以該類材料是制備器件的理想材料。