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產品名稱

中文名稱: Graphenea石墨烯場效應晶體管芯片S20

英文名稱：Graphene Field-Effect Transistor chipS20

性質

芯片尺寸：10mm x10mm

芯片厚度 ：675μm

每個芯片的GFET數量：12

柵氧化層厚度：90nm

柵極氧化物材料：SiO2

基體電阻率 ：1-10 Ω.cm

封裝形式：50 nm Al2O3 + 100 nm Si3N4

Dirac點（背柵）：＜50 V

良率  ：＞75%

石墨烯場效應遷移率：＞1000cm²/V.s

應用

石墨烯器件研究，化學傳感器，生物傳感器，生物電子學，磁傳感器，光電探測器。

其他信息

常溫干燥避光密封保存。*長保存期限一年。