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高溫下測(cè)試導(dǎo)體新材料的電導(dǎo)率特性變化情況

352

直接聯(lián)系

寧波瑞柯微智能科技有限公司

浙江寧波

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)

參考報(bào)價(jià)：

面議

品牌：

ROOKO

型號(hào)：

352

關(guān)注度：

5855

樣本：

【下載】

范圍（量程或細(xì)度）：

10-7

創(chuàng)新點(diǎn)：

半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率對(duì)溫度變化測(cè)量要求，測(cè)控軟件實(shí)時(shí)繪制出溫度與電阻，電阻率，電導(dǎo)率數(shù)據(jù)的變化曲線圖譜，及過程數(shù)據(jù)值的報(bào)表分析.

應(yīng)用行業(yè)：

大專院校

典型用戶：

高校研究院

產(chǎn)品介紹

高溫下測(cè)試導(dǎo)體新材料的電導(dǎo)率特性變化情況

功能概述：overview

1. 四探針雙電組合測(cè)量方法測(cè)試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫箱結(jié)合

2. 配置高溫四探針測(cè)試探針治具

3. PC軟件對(duì)數(shù)據(jù)的處理和測(cè)量控制.

4. 量程測(cè)試范圍.

應(yīng)用說明：

高溫下測(cè)試導(dǎo)體新材料的電導(dǎo)率特性變化情況

適用行業(yè)：Applicable industry:

用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù).

雙電測(cè)四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測(cè)量。設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法

標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。

高溫下測(cè)試導(dǎo)體新材料的電導(dǎo)率特性變化情況

型號(hào)及參數(shù)Models and technical parameters：

規(guī)格型號(hào)Models	FT-351A	FT-351B	FT-351C
1.方塊電阻范圍sheet resistance	10-5～2×105Ω/□	10-6～2×105Ω/□	10-4～1×107Ω/□
2.電阻率范圍resistivity range	10-6～2×106Ω-cm	10-7～2×106Ω-cm	10-5～2×108Ω-cm
3.測(cè)試電流范圍test current range	0.1μA.μA.0μA，100μA，1mA，10mA，100 mA	1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA	10mA ---200pA
4.電流精度current accuracy	±0.1%讀數(shù)	±0.1讀數(shù)	±2%
5.電阻精度resistance accuracy	≤0.3%	≤0.3%	≤10%
PC軟件界面 PC software interface	顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度、電導(dǎo)率 LCD: resistance.resistivity. sheet resistance. temperature.unit conversion. temperature coefficient. current. voltage. probe shape. probe spacing. thickness
7.測(cè)試方式test mode	雙電測(cè)量Double electrical measurement
8.四探針儀工作電源working power	AC 220V±10%.50Hz <30W
9.誤差errors	≤3%（標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果 standard samples）		≤15%
溫度(選購(gòu))Highest temperature (choose and buy)	常溫 Normal temperature -400℃；600℃；800℃；1000℃；1200℃；1400℃；1600℃
氣氛保護(hù)（氣體客戶自備） Atmosphere protection(Gas was provided by customers themselves)	常用氣體如下：氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn)，均為無色、無臭、氣態(tài)的單原子分子 The usual gases are: helium (He). neon (Ne). argon (Ar). krypton (Kr). xenon (Xe). and radon (Rn). all in colorless. odorless. gaseous monatomic molecules.
溫度精度 Temperature precision	沖溫值 Blunt temperature values：≤1-3℃；控溫精度 control precision：±1°C
升溫速度： rate of temperature increase	常溫開始400℃--800℃需要15分鐘；800℃-1200℃需要30分鐘；1400℃-1600℃需要250分鐘—300分鐘 About 15 minutes at room temperature to 400 ℃. 800 ℃;800 ℃ to 1200 ℃ need 30 minutes;1400 ℃ to 1600 ℃ to 250 minutes. 300 minutes
高溫材料 High temperature material	采用復(fù)合陶瓷纖維材料，具有真空成型，高溫不掉粉的特征Adopt composite ceramic fiber material. have vacuum forming. high temperature not drop powder
PC軟件 PC software	測(cè)試PC軟件一套，USB通訊接口，軟件界面同步顯示、分析、保存和打印數(shù)據(jù)！One set Special test PC software. USB communication interface. software interface synchronization display. analysis. save and print data!
電極材料 Electrode materials	鎢電極或鉬電極 Tungsten electrode or molybdenum electrode
探針間距 The probe spacing	直線型探針，探針中心間距：4mm；樣品要求大于13mm直徑Linear probe. probe center spacing: 4mm;Sample requirements are greater than 13mm diameter
標(biāo)配外（選購(gòu)）： Except standard configuration (optional)	電腦和打印機(jī)1套；2.標(biāo)準(zhǔn)電阻1-5個(gè)； 1 . One set computer and printer 2.Standard resistance 1 to 5pcs
高溫電源： High temperature power	供電：400-1200℃ 電源220V，功率4KW；380V;1400℃-1600℃電源380V；功率9KW： Power supply: 400-1200 ℃ power 220 v. 4 kw power;380 v;1400 ℃ to 1600 ℃ power supply380V ; power 9KW

----我們一直在做：

研發(fā)、生產(chǎn)、銷售研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、租賃、實(shí)驗(yàn)室樣品分析及后延擴(kuò)展服

務(wù).

操作流程及步驟

1.系統(tǒng)連接：將各個(gè)部件及控制系統(tǒng)、電源及USB通訊接口接通；

2.調(diào)通系統(tǒng)的連接是否正常，可以從PC軟件及電阻率測(cè)試儀上的數(shù)據(jù)變化看出.

3.在高溫箱體上分段設(shè)定所需要溫度，當(dāng)然也可以不分段而設(shè)定一個(gè)溫度.具體高溫箱體儀表操作請(qǐng)查看《溫度儀表操作手冊(cè)》.

4.待樣品通過高溫夾具進(jìn)入高溫箱體.

5.開啟惰性氣體輸入閥門.

6.溫度實(shí)時(shí)上升過程中，樣品阻值實(shí)時(shí)曲線變化.

7.帶溫度達(dá)到設(shè)定值時(shí)，自動(dòng)停止加熱.

8.測(cè)試完畢，關(guān)閉高溫電源，帶10-20分鐘后.

9.通過高溫手套，移動(dòng)夾具上升離開高溫箱體.

10.用鑷子取出樣品.

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