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SilcoNert®2000

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SilcoNert®2000(6,444,326和6,511,760)是非晶硅的化學保護屏障,其進一步官能化以提供可用的*惰性表面。通過應用化學氣相沉積(CVD),SilcoNert®2000非常適用于硫化物,汞,氨或其他活性化合物的痕量級測試精度(<百萬分之一)。

特色與優勢

? 非視距工藝;所有孔和復雜的幾何形狀都能被涂層

? 消除吸附和再測試

? 獲得更快的校準

? 對結果充滿信心

SilcoNert®2000 規格

薄膜材質:表面烴化的氫化非晶硅

鍍膜工藝:熱化學氣相沉積法(非等離子法)

使用溫度450°C(惰性氣體)400°C(氧化性氣體)

基板要求:兼容性:不銹鋼合金,陶瓷,玻璃,鈦及大多數特殊金屬

尺寸:不超過78英寸(198厘米)

形狀:不限,可鍍任何復雜三維結構

標準厚度:100 - 500 nm

疏水性(接觸角):>= 65°

允許接觸的pH值 :0 - 8

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