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光譜 SiC外延體相表相無損缺陷分析

光譜 SiC外延體相表相無損缺陷分析

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上海英生電子科技有限公司

上海

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上海英生

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光譜 SiC外延體相表相無損缺陷分析

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July 04, 2023 – 微波探測空間分辨率低,僅為mm級別,無法獲得載流子壽命精確分布成像。采用全新瞬態吸收光譜成像技術,利用高速相機實現載流子衰減動力學的成像,無需掃描樣品!檢測速度大幅提升

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