粉體行業(yè)在線展覽
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PHI 06-C60型離子槍
直接聯(lián)系
高德英特（北京）科技有限公司
北京
面議
高德英特
PHI 06-C60型離子槍
3087
PHI 06-C60型離子槍
簡(jiǎn)介
PHI06-C60型離子槍設(shè)計(jì)獨(dú)特，適用于多種有機(jī)物和聚合物材料表面低損傷的清潔和濺射深度剖析。該離子槍產(chǎn)生C60離子束，經(jīng)過(guò)韋恩過(guò)濾器過(guò)濾。一旦C60離子束轟擊到樣品表面，其初始動(dòng)能就會(huì)分配到60個(gè)碳原子上。導(dǎo)致樣品表面能量級(jí)聯(lián)形成高效率濺射過(guò)程且對(duì)樣品化學(xué)成分造成的破壞*小。而Ar離子束濺射對(duì)有機(jī)物和聚合物造成化學(xué)破壞比較嚴(yán)重，06-C60型離子槍在當(dāng)前的儀器設(shè)計(jì)中，包括Quantera SXM和VersaProbe，作為一種配置選項(xiàng)，該離子槍也可經(jīng)過(guò)改裝用于多種Ulvac-Phi Quantera和PHI 5000系列的XPS儀器。另外，該離子槍的控制器和掃描控制單元均由計(jì)算機(jī)控制。
圖1 - PHI 06-C60 10kV - C60型離子槍
應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
兩片被硅氧烷污染的PET 薄膜，分別用500 V Ar 離子束和10 kV C60離子束濺射。用 Ar 離子束濺射1 nm后，PET的C 1s譜圖中看到明顯化學(xué)破壞；用Ar離子束濺射20 nm后，PET的C 1s譜圖中看到劇烈化學(xué)破壞。而與之對(duì)應(yīng)C60離子束濺射20 nm后，PET的C 1s譜圖中看到化學(xué)成分幾乎與未濺射表面沒(méi)有區(qū)別。
圖2 - PET 表面的C 1s高分辨譜隨濺射深度變化的關(guān)系 (a) 500 V Ar 離子束 (b) 10 kV C60離子束。C 1s 譜表明經(jīng)500V Ar 清潔后出現(xiàn)嚴(yán)重的化學(xué)成分破壞
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PHI 06-C60型離子槍
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