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適用范圍：

應用于第三代半導體材料碳化硅晶片的拋光工序，碳化硅材料具備超硬特性，常規氧化硅拋光液存在拋光效率慢的問題，

本產品在Si面碳化硅拋光上具有很好的表現，它有高效的去除速率，拋光后的碳化硅表面缺陷較少，同時在拋C面碳化硅

時亦可以獲得良好的表面質量，從而確保被拋工件有較高的拋光效率及良品率，提高客戶產品競爭力。

主要技術指標：