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氮化硅片

可提供各種規格高質量氮化硅片，及氮化硅片加工定制服務。

• 尺寸：2,3,4,5,6,8,12英寸；定制尺寸；

• 晶向：<100>、<111>、<110；

• 氮化層SiO2膜厚；厚度：5nm-10um，常規：100-500nm；

• 表面：單面氧化、雙面氧化；

• 加工方法：氧化爐/PECVD等；

• 類型：N型、P型、非摻雜高阻；

• 電阻率：重摻雜<0.001ω.cm,輕摻雜1~100ω.cm,非摻>1000~>20000Ω.cm；

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• 晶向：<100>、<111>、<110；

• 氮化層SiO2膜厚；厚度：5nm-10um，常規：100-500nm；

• 表面：單面氧化、雙面氧化；

• 加工方法：氧化爐/PECVD等；

• 類型：N型、P型、非摻雜高阻；

• 電阻率：重摻雜<0.001Ω.cm,輕摻雜1~100Ω.cm,非摻>1000~>20000Ω.cm；