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SiC碳化硅

SiC碳化硅

直接聯(lián)系

浙江東尼電子股份有限公司

浙江

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)
參考報(bào)價(jià):

面議

品牌:

東尼電子

型號(hào):

SiC碳化硅

關(guān)注度:

1042

產(chǎn)品介紹

東尼采用的前沿技術(shù)突破了碳化硅單晶材料的大直徑生長(zhǎng)、多型控制、應(yīng)力和位錯(cuò)缺陷降低等關(guān)鍵問(wèn)題,解決了碳化硅晶體生長(zhǎng)缺陷數(shù)量的控制和晶體品質(zhì)的瓶頸問(wèn)題,從而得到高質(zhì)量、大尺寸的碳化硅單晶材料。

  • 通過(guò)采用多重物理量有限元素工程分析軟件,優(yōu)化長(zhǎng)晶熱場(chǎng)、流場(chǎng),獲得**的徑向溫度梯度

  • 采用碳化鉭涂布工藝技術(shù),抑制熱場(chǎng)中雜質(zhì)的揮發(fā),提高晶體品質(zhì)

  • 優(yōu)化研磨技術(shù)與特殊拋光工藝技術(shù),提高量產(chǎn)良率和晶體品質(zhì)的一致性


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SiC碳化硅

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