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產(chǎn)品應用
制備硅化釩薄膜。用大束流密度的釩金屬離子注入硅，能夠直接合成性能良好的薄層硅化物。隨束流密度的增加，硅化釩相生長，薄層硅化物的方塊電阻RS 明顯下降，當束流密度為25μA/cm2 時，Rs 達到*小值22Ψ，說明連續(xù)的硅化物已經(jīng)形成。X 衍射分析表明，注入層中形成了V3Si 、V5Si3 、V3Si5 和VSi2 四種硅化釩。經(jīng)過退火后，Rs 明顯地下降，Rs *小可降到9Ψ，電阻率可小到72μΨm ，說明硅化釩薄層質量得到了進一步的改善，大束流密度注入和退火后，硅化釩相進一步生長。大束流密度注入和高溫退火(1200 ℃)仍然具有很低的薄層電阻率，這充分說明硅化釩具很好的熱穩(wěn)定性。透射電子微鏡觀察表明，連續(xù)硅化釩薄層厚度為80nm 。

包裝儲存
本品為充惰氣塑料袋包裝，密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中，不宜暴露空氣中，防受潮發(fā)生氧化團聚，影響分散性能和使用效果；包裝數(shù)量可以根據(jù)客戶要求提供，分裝。