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作為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵 (GaN) 具有優(yōu)越的禁帶寬度（遠(yuǎn)高于硅和碳化硅）、熱導(dǎo)率、電子遷移率以及導(dǎo)通電阻。由于高溫下GaN生長過程中N的離解壓力較高，很難獲得大尺寸的GaN單晶材料，所以在異質(zhì)襯底上制備外延GaN薄膜已經(jīng)成為研究GaN材料和器件的主要方法。目前，GaN外延生長方法有氫化物氣相外延（HVPE）、分子束外延（MBE）、金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀（MOCVD）。目前，大多數(shù)商用器件都是基于GaN異質(zhì)外延的，主要襯底是碳化硅（SiC）、硅（Si）和藍(lán)寶石（Sapphire）。產(chǎn)品描述 我們提供2、4、6英寸硅或碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC/Si) HEMT 外延片，也可提供藍(lán)寶石基氮化鎵（GaN on Sapphire）HEMT外延片   SiC/Si基GaN HEMT典型外延結(jié)構(gòu) 1.GaN on SiC HEMT外延 該外延材料結(jié)合了SiC優(yōu)異的導(dǎo)熱性能和GaN高頻和低損耗性能，所以GaN on SiC 熱導(dǎo)率高，使得器件可以在高電壓和高漏電流下工作，是射頻器件的理想材料。目前， GaN-on-SiC外延片主要應(yīng)用于5G基站、國防領(lǐng)域射頻前端的功率放大器（PA）。 2.GaN-on-Si HEMT外延 由于使用Si襯底材料,可在大直徑硅晶圓上外延GaN且具有與傳統(tǒng)Si工藝兼容等優(yōu)勢(shì),成為功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的理想選擇。GaN on Si HEMT外延有常開型即耗盡型（D型）和常關(guān)型即增強(qiáng)型（E型）兩種。 Si基和SiC基GaN HEMT結(jié)構(gòu)性能對(duì)比 項(xiàng)目 GaN on SiC GaN on Si 晶格失配 3.50% 16.90% 熱膨脹系數(shù) 25% 56% 缺陷密度 5E+8/cm2 1E+9/cm2 漏電流 大 大 集成可能性 中等 高 3.GaN-on-Sapphire HEMT外延 該外延結(jié)構(gòu)具有良好的均勻性、高擊穿電壓、極低的緩沖區(qū)泄漏電流、高電子濃度、高電子遷移率和低方塊電阻，用于射頻和功率半導(dǎo)體器件。在藍(lán)寶石襯底上生長的 GaN HEMT 可以通過將器件倒裝芯片鍵合到導(dǎo)熱和電絕緣的襯底（例如氮化鋁陶瓷）上來實(shí)現(xiàn)熱管理。 GaN on Sapphire HEMT典型外延結(jié)構(gòu) 注：從2023年8月1日起，出口該產(chǎn)品需要出口許可證；國內(nèi)供應(yīng)不受影響