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>6英寸SiC導電型襯底晶錠

6英寸SiC導電型襯底晶錠

6英寸SiC導電型襯底晶錠

直接聯(lián)系

合肥世紀金芯半導體有限公司

安徽

產品規(guī)格型號
參考報價:

面議

品牌:

世紀金芯

型號:

6英寸SiC導電型襯底晶錠

關注度:

611

產品介紹

6英寸SiC導電型襯底晶錠規(guī)格書

項目

性能

參數(shù)

 

晶體參數(shù)

 

表面晶向

Surface orientation

 

4.0°  toward [11-20]± 0.5°

 

4H晶型面積

areas

 

100%

 

邊緣多晶

Edge polycrystal

 

機械參數(shù)

直徑(mm)

Diameter

150±0.1

參考面方向

Primary flat orientation

 

<11-20>±5.0°

參考面長度(mm)

Primary flat length

 

47.5±1.5

電學參數(shù)

電阻率  (2 · cm)

Resistivity

0.01-0.03

摻雜劑

Dopant

N型摻氮

缺陷參數(shù)

微管密度(個/cm2)

Micropipe Density

≤0.5

基平面位錯BPD(個/cm2)

≤7000

表面質量

裂紋

Cracks


產品咨詢

6英寸SiC導電型襯底晶錠

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合肥世紀金芯半導體有限公司

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6英寸SiC導電型襯底晶錠 - 611
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