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碳化硅單晶生長爐

產品優勢

高度自動化程序，減少人工操作

能靈活改動溫場，滿足晶體長大、長快、長厚要求

內置感應線圈，提高耦合效率，更低能耗

金屬真空腔室，更安全耐用

產品概述

天科合達目前已經開發出了第五代SiC單晶生長爐，該生長爐為我司自主研發設計制造。爐體采用單室立式雙層水冷不銹鋼結構，爐子整體結構由真空系統、感應加熱、壓力控制和提拉控制四部分控制體系組成。經過不斷的升級迭代，第五代單晶爐在性能已成功達到國外同類水平，成本相比僅有其1/4。

主要優勢有：

1、高度的自動化程序，無需人工操作

2、使用內置感應線圈，提高了耦合效率和電能利用率，能耗更低

3、能靈活改動溫場，滿足碳化硅晶體長大、長快、長厚的需求

4、金屬真空室更安全耐用

下游產品與應用

單晶生長爐是生長碳化硅單晶材料的重要設備，為公司、高校和科研院所在研究和生產制備碳化硅單晶晶體、研發長晶工藝中，提供高精度的設備支撐。公司為此還提供優質的籽晶、粉料和長晶方面的技術支持。