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晶片尺寸:4/6/8英寸

Nafer size: 4/6/8 inches

ウェーハサイズ：4/６/８インチ

制程溫度范圍:300-2200℃

Maximum heater temperature: 2200℃

プロセス溫度範囲：300-2200℃

加熱器**溫度:2200℃

Maximum heater temperature: 2200℃

ヒーター**溫度：2200℃

控溫段數:多段控溫

Number of temperature control sections:

multisections temperature control

溫度制御セクション數：多段階溫度制御

爐腔壓力:10MPa(**)

Chamber pressure:10MPa(Maximum)

爐室圧力：10MPa(**)