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現(xiàn)象描述：

樣品在電鏡中長時間成像，或進行EDX成分分析過程中，可能會在測試區(qū)域形成“黑色方框”，這通常是由聚合物碳沉積引起。

成因分析：

當高能電子撞擊樣品表面時，它們產(chǎn)生大量低能二次電子（SE）。SE由于其較低的速度而與環(huán)境污染物氣體分子具有高得多的相互作用面。它們分解有機污染，并在成像區(qū)域周圍造成“碳沉積”（碳氫化合物或烴）。當表面被薄層烴覆蓋時，二次電子產(chǎn)率將降低。

負面影響：

由于積碳影響，電子暴光區(qū)域?qū)⒈戎車奈雌毓鈪^(qū)域更暗，減少了電子顯微鏡圖像中的材料對比度。研究表明，導電性越好，二次電子產(chǎn)額越高的樣品，其發(fā)生碳沉積也越快。原因在于，對于這類觀察樣品，表面碰撞出SE越多，所以導致相互作用在表面生成的烴也越多越快。甚至隨碳積影響，表面會累積電荷導致無法清晰成像。更有甚者，碳氫化合物污染嚴重的時候，可能會導致電子光學成像部件及探測器等污染，使電子束及成像漂移。

RPS50 SEM掃描電鏡原位等離子清洗儀適用于SEM或FIB等電鏡腔體內(nèi)碳氫化合物的清洗及樣品積碳清洗。采用遠程RF射頻離子源清洗，高效、低等離子體轟擊損傷。核心部件采用國際一流品牌，保證設(shè)備具有優(yōu)異的質(zhì)量與穩(wěn)定可靠性。

RF射頻離子源通入氧氣后產(chǎn)生的等離子體被電磁場束縛于離子源內(nèi)部， O活性自由基與SEM腔室內(nèi)碳氫化合物反應(yīng)生成CO2，CO及H2O等被真空機組抽走，*終實現(xiàn)SEM腔室/樣品積碳清洗之目的，同時提高SEM成像分辨率及襯度，縮短電鏡抽真空時間。