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裝置概述

本裝置是CVD反應裝置，擁有四個氣路，兩套獨立的氣路控制單元，加熱爐安裝在裝置的側面上下安裝，精密的儀表控制加熱爐爐溫和氣體流量，具有可靠性高，操作簡便，結構緊湊的特點。該裝置可用于化學沉積及與CVD特點相似的材料制備過程。

技術參數

-　氣路：1-4（任選）；

-　加熱爐：1-2（任選），加熱爐溫度Max：1000 ℃

-　氣體質量流量器：0 - 500 mL/min（任選）；

-　工作壓力：常壓；

-　溫度控制：± 0.5 ℃；

-　計算機控制（任選）。