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儀器簡介：

又名：掩膜對準曝光機，曝光系統，光刻系統，光刻機等；

全球**的半導體設備供應商，多年來致力于掩膜對準光刻機和勻膠機研發與生產，并且廣泛應用于半導體、微電子、生物器件和納米科技領域；該公司是目前世界上*早將光刻機商品化的公司之一，擁有雄厚的技術研發力量和設備生產能力；并且其設備被眾多**企業、研發中心、研究所和高校所采用；依優秀的技術、精湛的工藝和良好的服務，贏得了用戶的青睞。

相關設備：

甩膠機，甩膜機，涂膠機，旋轉涂膜機，勻膜機，清洗機，顯影機等；

技術參數：

基片尺寸：4、6、8、12、25英寸，其他要求支持；

光束均勻性：<±3%；

曝光時間可調范圍：0.1 to 999.9秒；

對準精度：1微米，**0.5微米；

分辨率：1微米；

光束輸出強度：15-25mW/cm2；

主要特點：

光源強度可控；

紫外、深紫外曝光；

系統控制：手動、半自動和全自動控制；

曝光模式：真空接觸模式（接觸力可調），Proximity靠近模式， 投影模式；

真空吸盤范圍可調；

**技術：雙面對準！

雙重顯微鏡系統，**放大1600倍；