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林賽斯霍爾效應測量系統L79/HCS

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849

產品介紹

L79/HCS系統可用于半導體組件性能表征,包括:遷移率,電阻率,載流子濃度和霍爾常數。

基本型提供不同形狀和溫度條件下所需的樣品支架。選配低溫(液氮)附件結合高溫爐(溫度可達240°C)可保證所有應用領域環境條件下的測試。永磁體和電磁鐵可提供高達數個特斯拉強度的固定或者可變磁場。

基于測量軟件可顯示的視窗內容包括I-V I-R 數據圖.

系統可測試多種材料包括Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N 型或P型均可測量), 金屬膜, 氧化物等. 樣品測試時便可完成系統功能演示

特點

? 載流子濃度

? 電阻率

? 遷移率

? 電導率

? α (水平電阻值/垂直電阻值)

? 霍爾常數

? 磁致電阻

輸入電流:500nA 10mA (500nA 步長)
霍爾電壓:0.5 4.5V
分辨率:65pV
樣品形狀:15x15, 20x20, 25x25mm, 高度可達 5mm
磁場強度:可達 1T
傳感器:液氮溫度到 240°C

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