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電子束曝光指利用聚焦電子束在光刻膠上制造圖形的工藝,是光刻工藝的延伸應(yīng)用。電子束曝光系統(tǒng)是實現(xiàn)電子束曝光技術(shù)的硬件平臺，系統(tǒng)的性能決定了曝光工藝關(guān)鍵尺寸、拼接和套刻精度等指標(biāo)。

金竟科技完成了電子束曝光工藝和設(shè)備核心部件的技術(shù)突破，率先在中國推出自主創(chuàng)新、品質(zhì)可控、性能優(yōu)異的電子束曝光系統(tǒng)整機設(shè)備：Pharos 310。電子束曝光系統(tǒng)中多項關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達到國際一流水平，實現(xiàn)了電子曝光設(shè)備國產(chǎn)替代、自主可控的發(fā)展目標(biāo)。

Pharos 310可在4寸基片上曝光<20nm關(guān)鍵特征尺寸。利用Pharos310系統(tǒng)可輕松曝光復(fù)雜版圖，是實驗室條件下進行亞微米至納米級別光刻技術(shù)研發(fā)的利器。

電子束曝光系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域

· 半導(dǎo)體制造：用于制造集成電路、芯片等半導(dǎo)體器件。

· 納米技術(shù)研究：在納米材料、納米器件的研發(fā)中發(fā)揮重要作用。

· 光學(xué)領(lǐng)域：制作光子晶體、光波導(dǎo)、調(diào)制器、超表面等光學(xué)元件。

· MEMS（微機電系統(tǒng)）：制造納米結(jié)構(gòu)等。

· 生物芯片：用于生物芯片的制作。

· 材料科學(xué)：研究材料的表面性質(zhì)、結(jié)構(gòu)等。

· 量子技術(shù)：在量子計算、量子通信等領(lǐng)域的研究和開發(fā)中得到應(yīng)用。

電子光學(xué)參數(shù)

· 電子發(fā)射源：采用肖特基發(fā)射源，使用壽命不低于1500小時

· 加速電壓：200eV-30 keV

· 電子束束流：5pA-200nA

· 電子束束斑尺寸：≤2.0nm@30keV

· 寫場速度：**可達到20MHz pixel frequency

· **寫場尺寸：500μm×500μm

· 分辨率(*小線寬)：≤20nm*

· 拼接精度：≤±50nm(mean+3σ)

· 套刻精度：≤±50nm(mean+3σ)

· 樣品臺移動范圍：100mm

· 可加工樣品的**尺寸：4英寸晶圓

標(biāo)準(zhǔn)配置

· 采用激光干涉儀定位樣品臺

· 由送樣開始至樣品室真空達到可以工作的時間不多于10分鐘

· 采用自動進樣系統(tǒng),進樣過程中無需人為干涉,配置有光學(xué)導(dǎo)航系統(tǒng)

· 采用Windows操控系統(tǒng)，在硬件允許的情況下，終身免費升級

· 提供 UPS 不間斷電源(一臺)

· 具備主動-被動集成式減振系統(tǒng),保證電子束曝光系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性。

*工藝：光刻膠PMMA950KA2；光刻膠厚度60nm