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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）是將低氣壓放電形成的等離子體應(yīng)用于化學(xué)氣相沉積的一項(xiàng)具有發(fā)展前景的技術(shù)。可在機(jī)械材料、反應(yīng)堆材料、宇航材料、光學(xué)材料、醫(yī)用材料、化工設(shè)備用材料表明進(jìn)行沉積出所期望的阻隔、光學(xué)、絕緣、硬化等各類功能行薄膜，廣泛應(yīng)用于食品、藥品包裝、半導(dǎo)體、平板顯示、太陽(yáng)能電池等產(chǎn)業(yè)發(fā)展。聚焦真空PECVD（等離子體化學(xué)相沉積)技術(shù)，主要專注于高阻隔膜PECVD的設(shè)備和工藝研發(fā)，現(xiàn)已開(kāi)發(fā)出兩種機(jī)型，分別適用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品防護(hù)和高端食品藥品包裝領(lǐng)域。設(shè)備鍍膜速度快，高速鍍膜時(shí)可達(dá)**300nm·m/min;并且處理面積廣，可向?qū)挿腻兡U(kuò)張；工作壓力達(dá)到Pa級(jí)，擁有低工作壓力、低污染的優(yōu)良性能。可對(duì)SIOx、SIO2等硅系、氧化物薄膜、DLC等進(jìn)行鍍膜。并且使用HMDSO六甲基二硅氧烷等作為原料，安全性高！