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1、產品信息

• Ge2Te3是一種窄帶隙半導體,在室溫下帶隙能約為0.8 eV。

• 它具有優異的光學特性,在可見光和近紅外波段有較高的光吸收系數。

• Ge2Te3還表現出良好的熱穩定性,在高溫下相對穩定,有利于高溫光電器件應用。

• 此外,Ge2Te3還具有相變特性,可用于制造相變存儲器等器件。

2、產品規格

1、樣品測試包裝客戶指定（＜1kg/袋裝）

2、樣品產品包裝（1kg/袋裝）

3、常規產品包裝（1kg/2kg/5kg/10kg）

備注：內：充惰性氣體 外：鋁箔袋真空。可根據客戶要求指定包裝。

3、產品概述

產品通過“選用凈化原料+生產純化工藝+品控智能控制”制備生成，產品具有技術含量高、晶相純、磁性異物少、含水量低、化學性能穩定的特點。

4、產品用途

• 主要用于制造相變存儲器、熱光學開關、光學存儲介質等光電子器件。

• 還可用作紅外探測器、熱成像傳感器、光纖通信等光電功能材料。

• 此外,Ge2Te3還是一種重要的化合物半導體材料,在光伏電池和熱電器件等領域有應用價值。