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1、產品信息

• InAs 是一種直接帶隙半導體材料,在常溫下為固體結晶。

• 它具有較高的熔點(942°C)和沸點(3,444°C),熱穩定性良好。

• InAs 為共價鍵化合物,在常溫下不溶于水,具有一定的化學穩定性。

• 此外,InAs 還表現出優異的電子和光學特性,是制造紅外光電子器件的理想材料。

2、產品規格

1、樣品測試包裝客戶指定（＜1kg/袋裝）

2、樣品產品包裝（1kg/袋裝）

3、常規產品包裝（1kg/2kg/5kg/10kg）

備注：內：充惰性氣體 外：鋁箔袋真空。可根據客戶要求指定包裝。

3、產品概述

產品通過“選用凈化原料+生產純化工藝+品控智能控制”制備生成，產品具有技術含量高、晶相純、磁性異物少、含水量低、化學性能穩定的特點。

4、產品用途

主要用作III-V族化合物半導體器件(如高電子遷移率晶體管、激光器、光探測器)的活性層材料。

還可用于制造近紅外發光二極管、太陽能電池、光纖通信等光電功能器件。

此外,InAs 還是制備其他III-V族化合物的前驅體,在光電子和微電子領域有廣泛應用前景。