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MAIA3超高分辨場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(GM)

MAIA3

直接聯(lián)系

泰思肯貿(mào)易(上海)有限公司.

歐洲

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)
參考報(bào)價(jià):

500萬(wàn)以上

型號(hào):

MAIA3

關(guān)注度:

5516

范圍(量程或細(xì)度):

--

產(chǎn)品介紹

   

二次電子圖象分辨率0.7 nm (15 keV)放大倍數(shù)4~1,000,000 x
背散射電子圖像分辨率1.6 nm @ 15 keV加速電壓0.2~30 kV
產(chǎn)地屬性歐洲儀器種類(lèi)場(chǎng)發(fā)射
價(jià)格范圍250萬(wàn)-300萬(wàn)

TESCAN MAIA3 model 2016

為超高分辨新開(kāi)發(fā)的電子光學(xué)系統(tǒng)

MAIA3 model 2016產(chǎn)品是一款具有超高表面靈敏度的高分辨掃描電子顯微鏡,在不同加速電壓下均有著出色的成像能力。MAIA3 model 2016在低電壓下也有極好的性能,尤其對(duì)電子束敏感的半導(dǎo)體器件樣品以及納米材料等都具有優(yōu)異的表面靈敏度及高空間分辨率。全新的MAIA3也非常適合 研究不導(dǎo)電試樣如原始狀態(tài)的生物樣品


主要特點(diǎn):

TriglavTM——新開(kāi)發(fā)的超高分辨電子光學(xué)鏡筒并配備TriLensTM物鏡及先進(jìn)的探測(cè)系統(tǒng)

  • 超高分辨率物鏡(60度浸沒(méi)式物鏡),全新的用于高分辨率分析工作的無(wú)漏磁分析物鏡,重新設(shè)計(jì)用于超大視場(chǎng)觀察的中間鏡。

  • 獨(dú)特的電子束無(wú)交叉模式與超高分辨率物鏡相結(jié)合,獲得了**的成像性能

  • 傳統(tǒng)的TESCAN大視野光路設(shè)計(jì)提供各種工作和顯示模式

  • 全新的EquiPower?技術(shù)進(jìn)一步提高電子束的穩(wěn)定性

  • 新的肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍能使電子束流高達(dá)400nA并能實(shí)現(xiàn)電子束能量的快速改變

  • 通過(guò)擴(kuò)展樣品室和專(zhuān)用支架能達(dá)到12”晶圓的SEM觀察

  • 專(zhuān) 利的TriBETM技術(shù)具有三個(gè)BSE探測(cè)器,可以選擇不同角度的信號(hào)進(jìn)行采集。位于鏡筒內(nèi)部的Mid-Ange BSE和In-Beam LE-BSE探測(cè)器,用于檢測(cè)中等角度及軸向的高角背散射電子,而樣品室的BSE探測(cè)器用于探測(cè)大角度范圍的背散射電子。并且這 三個(gè)探測(cè)器能探測(cè)到低于200eV的低能背散射信號(hào),綜合在一起,他們可以提供各種不同襯度的圖像

  • **的TriSETM技術(shù)具有三個(gè)SE探測(cè)器,對(duì)所有工作模式下采集二次電子信號(hào)都進(jìn)行了優(yōu)化。位于鏡筒內(nèi)部的In-Beam SE探測(cè)器能在短工作距離下采集二次電子。用于電子束減速模式下的SE(BDM)探測(cè)器用于超高分辨成像。In-Chamber SE探測(cè)器能提供**的形貌襯度

  • 電子束減速技術(shù)(BDT)能在低至50eV的低電壓下,也仍具有出色的分辨率(選配)

  • **的電子束實(shí)時(shí)追蹤技術(shù)可對(duì)電子束實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)優(yōu)化

  • 擴(kuò)展的低真空模式樣品室氣壓能達(dá)到500Pa,可用于不導(dǎo)電樣品的成像


超高分辨率 0.7@15keV,1.0nm@1keV

浸沒(méi)式物鏡系統(tǒng)和無(wú)交叉電子束模式結(jié)合在一起,可在低能量下實(shí)現(xiàn)超高分辨成像。浸沒(méi)式物鏡能在樣品周?chē)a(chǎn)生強(qiáng)磁場(chǎng),顯著降低了像差。而無(wú)交叉電子束模式則降低了Boersch效應(yīng),對(duì)電子束進(jìn)行進(jìn)一步的優(yōu)化,*終達(dá)到1.0nm @1keV的超高分辨率。


低電壓和超低電壓成像

電子束減速技術(shù)(BDT)包括了電子束減速模式(BDM), 以及在這個(gè)模式下可同步獲取二次電子和背散射電子信號(hào)的高質(zhì)量的透鏡內(nèi)探頭。在電子束減速模式下,通過(guò)加在樣品臺(tái)上的負(fù)偏壓使得電子束在作用到樣品表面前 降低能量。*低的著陸電壓可以降低到50eV(在手動(dòng)控制下可以降到0eV)。電子束減速模式下減少了光路畸變,增強(qiáng)了電子鏡筒的性能,因而在低電壓下可 以獲得更小的束斑直徑和高分辨的圖片。低電壓成像可以有效減少在觀察不導(dǎo)電樣品成像時(shí)出現(xiàn)的放電效應(yīng),也有利于對(duì)那些電子束敏感樣品和未噴鍍處理的樣品的 觀察。在這個(gè)模式下,可以達(dá)到對(duì)于表面形貌及成分襯度分析的極限分辨率。



應(yīng)用

MAIA3 model 2016非常適合非導(dǎo)電樣品和電子束敏感樣品的成像,如各種原始狀態(tài)的生物樣品。MAIA3 model 2016能獲得高靈敏的表面形貌,其出色的低電壓性能和高分辨成像是各個(gè)科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域**的SEM系統(tǒng)選擇。


材料科學(xué)

MAIA3 model 2016在低電壓下有著很好的分辨率,對(duì)納米材料的表征有著極大的優(yōu)勢(shì)。尤其適合各種敏感材料和不導(dǎo)電材料(如陶瓷,聚合物,玻璃,纖維等)。

半導(dǎo)體,光電和太陽(yáng)能電池

MAIA3 model 2016能被高效地應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)的失效分析中(集成電路,半導(dǎo)體超薄切片檢測(cè),太陽(yáng)能電池,納米傳感器等)

光刻

擁有超高分辨率的MAIA3 model 2016在電子束刻蝕領(lǐng)域也是個(gè)強(qiáng)大的工具。而且MAIA3 model 2016非常適合在高能電子束下很容易受到損傷的光刻膠的成像。

生命科學(xué)

低電壓下?lián)碛谐叻直媛实腗AIA3 model 2016能不需要鍍導(dǎo)電膜進(jìn)行樣品在原始狀態(tài)下的觀察。



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