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新開(kāi)發(fā)高性能 13.0W/（m·K）硅膠墊片導(dǎo)熱粉體解決方案

      隨著電子元器件功率增加，散熱問(wèn)題成為制約電子產(chǎn)品性能輸出的關(guān)鍵因素。高導(dǎo)熱系數(shù)材料應(yīng)運(yùn)而生，能有效將熱量從熱源傳導(dǎo)至散熱器，從而保持電子元器件穩(wěn)定運(yùn)行。因市場(chǎng)對(duì)散熱材料需求日益增長(zhǎng)，尤其對(duì)于具有高導(dǎo)熱系數(shù)散熱材料需求呈逐步增長(zhǎng)趨勢(shì)，目前市售11~12W/m·K導(dǎo)熱墊片已無(wú)法滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)散熱性能需求，13W導(dǎo)熱硅膠墊片研發(fā)應(yīng)市場(chǎng)需求而正式誕生。

      常見(jiàn)導(dǎo)熱粉體材料如氧化鋁，雖應(yīng)用廣泛，但導(dǎo)熱系數(shù)無(wú)法達(dá)到高導(dǎo)熱，限制其在高性能導(dǎo)熱領(lǐng)域應(yīng)用，氮化硼作為一種具有較高導(dǎo)熱率材料，其理論導(dǎo)熱系數(shù)高，但氮化硼在實(shí)際應(yīng)用中存在諸多問(wèn)題。首先，氮化硼分散性能較差，難以均勻分布在基體材料中；其次，隨著氮化硼含量增加，材料硬度隨之上升，導(dǎo)致加工性能下降，造成開(kāi)發(fā)過(guò)程技術(shù)挑戰(zhàn)。

      盡管在導(dǎo)熱系數(shù)方面，氮化鋁能夠滿(mǎn)足要求，但在長(zhǎng)時(shí)間使用條件下，無(wú)法通過(guò)雙85測(cè)試（即85℃、85%相對(duì)濕度環(huán)境下穩(wěn)定性測(cè)試）， 除此之外，一些其他高導(dǎo)熱材料，如碳纖維、碳納米管、石墨和金屬等，雖然具有較高導(dǎo)熱系數(shù)，但絕緣性能較差，在電子領(lǐng)域，這些材料無(wú)法滿(mǎn)足對(duì)電性能的求，因此在實(shí)際應(yīng)用中受到限制。

      東超新材料針對(duì)這一需求，通過(guò)特殊技術(shù)處理，自主研發(fā)合成有機(jī)硅高分子表面處理劑，融合先進(jìn)粉體復(fù)合與表面包覆技術(shù)，推出一款DCF-13K高性能硅膠墊片導(dǎo)熱粉產(chǎn)品。產(chǎn)品成功地克服基材與高導(dǎo)熱粉體之間性能差異大問(wèn)題，良好的分散性，確保在硅基材料中實(shí)現(xiàn)致密的填充，不僅顯著提升復(fù)合材料導(dǎo)熱效率，同時(shí)確保復(fù)合材料維持一定機(jī)械強(qiáng)度。

以下是DCF-13K導(dǎo)熱粉體在100cP乙烯基硅油中具體應(yīng)用數(shù)據(jù)。（實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)為東超新材實(shí)驗(yàn)室測(cè)試數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)可根據(jù)需求調(diào)整，不代表*終應(yīng)用數(shù)據(jù)，僅供參考）：