QBT-I 雙腔室高真空高速蒸鍍系統

產品詳情：

上下雙腔,集表面處理與蒸發鍍膜為一體,高效可靠的Indium蒸鍍助手。

技術參數

QBT-I 技術參數 Technical Specifications (Indium Bump等制備)
高真空腔體 HV Chamber	2個HV腔室，Loadlock離子束刻蝕及蒸鍍，極限真空Ultimate Pressure<3E-8Torr
排氣速率Pumping Spead	從ATM到8E-7Torr<15min (loadlock)
極限蒸發速率 High Depostion Rate	5-12nm/s (Indium), Ф100基板鍍膜均一性<3%, 大容量坩堝
精準的樣品冷卻控制 Wafer Cooling	-10-40℃ (精度±0.1）
離子束清洗 Ion Milling	考夫曼離子源, Ф100基板刻蝕均一性<3%
人機界面 HMI	全自動化人機操作界面
安全Safety	工業標準安全互鎖Industry Safety Interlock，報警Alarm，EMO

測試結果

獲取更多信息，請訪廈門韞茂科技有限公司網站

產品咨詢

雙腔型高真空高速蒸鍍系統

QBT-I

請填寫您的姓名：*

請填寫您的電話：*

請填寫您的郵箱：*

請填寫您的單位/公司名稱：*

請提出您的問題：*

您需要的服務：

詢盤報價、價格查詢

發送產品資料

與您電話聯系

發送

中國粉體網保護您的隱私權：請參閱我們的保密政策來了解您數據的處理以及您這方面享有的權利。您繼續訪問我們的網站，表明您接受我們的使用條款

亲子乱高潮1000部,色婷婷五月综合亚洲小说,禁伦H肉高辣网站视频,亚洲成av人影院