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立式化學氣相沉積爐(SiC、BN)

VCVD

直接聯(lián)系

湖南頂立科技股份有限公司

湖南

產(chǎn)品規(guī)格型號
參考報價:

100-150萬元

品牌:

頂立科技

型號:

VCVD

關注度:

7323

范圍(量程或細度):

--

產(chǎn)品介紹

立式化學氣相沉積爐(SiC、BN)

  • 產(chǎn)品描述:

  • 立式化學氣相沉積爐(SiC、BN)可用于材料的表面涂層、基體改性、復合材料制備等

  • 應用范圍:

  • 外延片基座、晶體爐高溫耐材、熱彎模具、半導體坩堝、陶瓷基復合材料等


技術特征

采用先進的控制技術,能精密控制MTS的流量和壓力,爐膛內(nèi)沉積氣流穩(wěn)定,壓力波動范圍小;

全密閉沉積室,密封效果好,抗污染能力強;

多通道工藝氣路,流場均勻,無沉積死角,沉積效果好;

多級高效尾氣處理系統(tǒng),能有效處理高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點粘性產(chǎn)物,環(huán)境友好;

可選配新設計的防腐蝕真空機組,持續(xù)工作時間長,維修率極低;

使用工藝氣氛:真空/CH4/H2/N2/Ar/BCI3/NH3/MTS。


產(chǎn)品規(guī)格

參數(shù)\型號VCVD-0305-SICVCVD-0608-SICVCVD-0812-SICVCVD-1120-SICVCVD-1520-SIC
工作區(qū)尺寸D×H(mm)300×500600×800800×12001100×20001500×2000
**溫度(℃)15001500150015001500
溫度均勻性(℃)±5±7.5±7.5±10±10
極限真空度(Pa)1-1001-1001-1001-1001-100
壓升率(Pa/h)0.670.670.670.670.67
加熱方式電阻電阻電阻電阻電阻

以上參數(shù)可根據(jù)工藝要求進行調(diào)整,不作為驗收依據(jù),具體以技術方案和協(xié)議為準。


配置選擇

結構形式:臥式-單開門/雙開門;立式-上出料/下出料

爐門鎖緊方式:手動/自動

爐殼材質(zhì):內(nèi)層不銹鋼/全不銹鋼

保溫材質(zhì):碳氈/石墨氈/碳纖維固化氈/陶瓷纖維氈

加熱器、馬弗材質(zhì):石墨/CFC/金屬

熱電偶:K/N/C/S分度號

真空泵:機械泵組/耐腐蝕泵組



產(chǎn)品咨詢

立式化學氣相沉積爐(SiC、BN)

VCVD

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