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該設備是半導體生產線前工序的重要工藝設備之一，用于大規模集成電路、 分立器件、電力電子、光電器件等行業的氧化、擴散、退火、合金等工藝。

晶片尺寸：6/8英寸

Wafer size: 6/8 inches 

ウェハーサイズ：6/8インチ

制程溫度范圍：300°C-1250°C

Process temperature range: 300°C-1250°C

プロセス溫度範囲：300℃-1250℃

批次片數: 100-150片

Batch capacity: 100-150 pcs

バッチ數：100-150枚