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SAM半導體可飽和吸收鏡1064nm

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上海尖豐光電技術有限公司

德國

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產品介紹

SAM半導體可飽和吸收鏡 1064nm (Saturable Absorber Mirror 1064 nm)

品牌:BATOP

型號:SAM-1064

關鍵詞:半導體可飽和吸收鏡，可飽和吸收耦合輸出鏡，共振可飽和吸收鏡，可飽和噪聲去除腔，可飽和吸收體

BATOP 現已成為用于被動鎖模激光器的可飽和吸收體的****供應商。可飽和吸收產品集合了各式各樣的不同的器件，從可飽和吸收鏡(SESAM)，到可飽和輸出鏡(SOC)和用于透過應用的可飽和吸收體(SA)。迄今為止，可飽和吸收產品已經覆蓋了800nm到2.6μm的常用激光波長范圍。

SAM product list

Wavelength region 790 nm-830 nm: 800 nm

Wavelength region 910 nm-990 nm: 940 nm | 980 nm

Wavelength region 1020 nm-1150 nm: 1040 nm | 1064 nm | 1100 nm

Wavelength region 1110 nm-1320 nm: 1150 nm | 1300 nm

Wavelength region 1320 nm-1460 nm: 1340 nm | 1420 nm

Wavelength region 1470 nm-1660 nm: 1510 nm | 1550 nm | 1645 nm

Wavelength region 1900 nm-3200 nm: 2000 nm | 2150 nm | 2400 nm | 3000 nm

SAM 1064
laser wavelength	λ = 1064 nm
high reflection band (R>99%)	λ = 1020 .. 1110 nm
absorption	A0 = 0.5 - 70 %
relaxation time	τ ~ 500 fs - 27 ps

型號參數：

Part No. help	Delivery time	Description
SAM-1064-0.7-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm， absorptance 0.7 %， Δ R = 0.4 %， τ ~ 1 ps
SAM-1064-1-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm， absorptance 1 %， Δ R = 0.6 %， τ ~ 1 ps
SAM-1064-1.5-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm， absorptance 1.5 %， Δ R = 0.8 %， τ ~ 1 ps
SAM-1064-2-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm， absorptance 2 %， Δ R = 1.2 %， τ ~ 1 ps
SAM-1064-3-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm， absorptance 3 %， Δ R = 1.6 %， τ ~ 1 ps
SAM-1064-3.5-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm， absorptance 3.5 %， Δ R = 2 %， τ ~ 1 ps
SAM-1064-4-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm， absorptance 4 %， Δ R = 2.4 %， τ ~ 1 ps
SAM-1064-5-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm， absorptance 5 %， Δ R = 3 %， τ ~ 1 ps
SAM-1064-6-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm， absorptance 6 %， Δ R = 3.5 %， τ ~ 1 ps
SAM-1064-8-500fs-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm， absorptance 8 %， Δ R = 5 %
SAM-1064-10-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm， absorptance 10 %， Δ R = 6 %， τ ~ 1 ps
SAM-1064-13-500fs-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm， absorptance 13 %， Δ R = 8 %
SAM-1064-18-500fs-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm， absorptance 18 %， Δ R = 10 %， τ ~ 500 fs， antiresonant multi quantum well structure，
SAM-1064-23-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm， absorptance 28 %， Δ R = 15 %， τ ~ 1 ps， antiresonant multi quantum well structure，
SAM-1064-26-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm， absorptance 28 %， Δ R = 13 %， τ ~ 1 ps， resonant multi quantum well structure，
SAM-1064-38-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm， absorptance 38 %， Δ R = 23 %， τ ~ 1 ps， antiresonant multi quantum well structure，
SAM-1064-70-500fs-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm， absorptance 70 %， Δ R = 40 %， τ ~ 500 fs

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