蔡司Crossbeam系列

輕松發現和設計先進材料

使用蔡司Crossbeam使您在三維納米分析流程中獲益

將場發射電子顯微鏡的成像與分析能力與聚焦離子束的加工能力結合。

無論是刻蝕，成像或做三維分析，Crossbeam將提高聚焦離子束的應用速率。通過新的能譜模塊實現大部分的三維成分分析工作。

您可自主選擇使用蔡司 Crossbeam 340的可變氣壓功能，或者使用Crossbeam 550來滿足您急需的表征應用。

現在有更大的樣品艙室供您選擇。

Crossbeam的優勢

**化SEM的探測能力

低電壓電子束分辨率提升高達30%。

無論是二維表面成像或三維重構，蔡司Crossbeam的掃描電子束均可提供優異的表現。借助于Tandem decel在樣品上施加電壓，Gemini光學系統可以在1kV下獲得高達1.4nm的分辨率，從而對任意樣品均可獲得優秀的圖像。可通過一系列的探測器表征您的樣品。通過獨特的Inlens EsB探測器，可獲取純的材料成分襯度信息。表征不導電樣品可以不受荷電效應的影響。

提高您的FIB樣品的測試加工效率

通過FIB智能的刻蝕策略，其材料移除速率可提升高達40%。

在鎵離子類型的FIB-SEM中采用了大離子束束流。使用高達100nA的離子束束流可顯著節約時間，同時具有優秀的FIB束斑形狀，從而獲得高分辨率。得益于智能的FIB掃描策略，移除材料時高效且精準。可自動批量制取樣品，例如截面，TEM樣品薄片或任何使用者自定義的圖形。

在FIB-SEM分析中體驗優異的三維空間分辨率

體驗整合的三維能譜分析所帶來的優勢

可使用蔡司Atlas 5軟件擴展您的Crossbeam，它是一個針對快速而準確的三維斷層成像的軟硬件包。使用Atlas 5中集成的三維分析模塊可在三維斷層成像的過程中進行能譜分析蔡司Crossbeam將Gemini電子束鏡筒和定制的聚焦離子束鏡筒結合起來，從而獲得高精度與速度。因此FIB-SEM的斷層成像可獲得優異的三維空間分辨率和各向同性的三維體素尺寸。使用Inlens EsB探測器，探測深度小于3nm，可獲得表面敏感的、材料成分襯度圖像

Crossbeam的特點

Crossbeam的應用

• 氧化鋁球 在Crossbeam 550上使用Tandem decel拍攝

  使用100nA束流進行截面切割

  蔡司Crossbeam系列的FIB鏡筒具備獨特的100nA束流。該溝槽在硅片上刻蝕，體積為100 × 30 × 25 μm3，刻蝕時間10分鐘，使用100nA的FIB束流。注意這個結構的精度。

  使用100nA束流刻蝕的溝槽

  在硅材料上不同切割策略的比較

  使用常規切割（左）材料去除需要10分54秒，而使用Fastmill，只需7分21秒（右）便可移除等量材料。全新開發的掃描策略- Fastmill，通過優化角度相關的濺射效應來提高切割速度。與傳統的線切割相比， Fastmill的切割速率可增加多達40%。

  Crossbeam 550切割策略的比較

  批量精確樣品制備

  銀鎳銅多層結構的TEM薄片，可提取進行減薄，使用自動樣品制備功能。

  TEM薄片 Ag-Ni-Cu多層結構

  批量制備

  使用自動樣品制備功能制備TEM薄片

  批量制備35個TEM薄片

  STEM成像并進行高分辨率EDS分析

  在X2CrNi18-10鋼熱影響區晶界處的碳化鉻：STEM 明場像（左圖），EDS鉻元素分布圖（右圖）。

  鋼的STEM圖像和

  EDS的Cr元素分布圖