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GIGAfab M等離子系統(tǒng)

GIGAfab M等離子系統(tǒng)可用于具有更嚴(yán)苛要求和特殊等離子源的應(yīng)用中，適用于半導(dǎo)體行業(yè)等多個(gè)領(lǐng)域。基板由手工裝載到工藝室，從單個(gè)**到 300 mm晶圓（也包含薄膜減薄）到少數(shù)幾片更小的晶圓。均勻性高達(dá) 5% 的平面源用于去除光刻膠（通過 300 mm晶圓測(cè)量）。或者，在遠(yuǎn)程操作中，徑向源可用于蝕刻硅并減少薄晶圓或組件上的應(yīng)力。

等離子系統(tǒng) GIGAfab M的優(yōu)勢(shì)及相關(guān)設(shè)備：

配備帶拉出式工作臺(tái)的工藝室

晶圓支架安裝在內(nèi)部，可根據(jù)應(yīng)用進(jìn)行加熱或冷卻

或者，帶有冷卻回路和冷卻單元的系統(tǒng)，溫度范圍為 20 °C 至 95 °C（用于蝕刻硅或去除 SU-8）或高達(dá) 300 °C 的電加熱系統(tǒng)，可選空氣冷卻配置以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的工藝范圍在 60 °C 和 300 °C 之間

系統(tǒng)控制基于帶觸摸屏的PC系統(tǒng)，使工藝過程可以在手動(dòng)和自動(dòng)多步操作中運(yùn)行。該標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)包含一個(gè)用于穩(wěn)定過程壓力的控制閥，以及兩個(gè)帶自動(dòng)流量控制器 (MFC) 的氣體管道；另外也可選配額外兩個(gè)氣體管道。