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1.

設備名稱：

霍爾效應測試儀

2.

功能描述：

測量半導體薄膜中載流子類型、載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等參數

3.

技術參數：

3-1

測試范圍：

Si， SiGe， SiC， GaAs， InGaAs， InP， GaN (N Type & P Type)等材質的半導體薄膜中載流子類型、載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等參數

3-2

磁場：

3-2-1

磁場強度：

0.45T 永磁體

3-2-2

磁場類型：

永磁體

3-2-3

磁場均勻性：

磁場不均勻性＜±1 %

10年內磁場變化＜±0.2%

3-3

溫度：

3-3-1

溫度區域：

77K(液氮溫度)或室溫

3-4

電阻率范圍：

1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm

3-5

電阻范圍：

0.1 m Ohms ~10 G Ohms

3-6

載流子濃度：

10⁷~10²¹cm^-3

3-7

遷移率：

10^-2~10⁷ cm²/volt*sec

3-8

輸入電流：

3-8-1

電流范圍：

1000 pA~10mA

3-8-2

電流解析度：

2.5 pA (lowest range)

3-8-3

電流精度：

2%

3-9

輸入電壓：

3-9-1

電壓范圍：

±10V

3-9-2

電壓分辨率：

1μV

4.

儀器特點：

4-1

Automatic contact check

自動接觸檢查(歐姆接觸)

4-2

Routine and enhanced software

常規和增強軟件

4-3

Differential resistivity measurements by I/V-curves

I/V曲線測試電阻率差異

4-4

Misalignment voltage compensation

失調電壓補償

4-5

Correction of slow sample drift voltage， especially for ZnO，

修正慢樣品漂移電壓，特別是氧化鋅

4-6

Automatic field calibration

自動現場標定

4-7

Large concentration and resistivity range

大濃度和電阻率范圍

4-8

Flexible， modular hardware

靈活的模塊化硬件

4-9

Support of various magnets， for example BioRad HL 5200

支持多樣磁場

4-10

Support of various temperature controllers

支持各種溫度控制器(支持客戶自行升級變溫系統)

5

硬件

5-1

The standard system consists of a bench top electronic system， a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.

標準系統包含電子測試系統、磁場和兩個溫度區域的測試平臺（室溫和液氮溫度）

5-2

The electronics include the current source， the voltage measurement part， the contact switching module and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.

電子測試系統包括由單片機控制的電流源、電壓測試、接觸開關模塊、IEEE或RS232接口

5-3

The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.

接觸開關模塊支持所有用戶用于其他的配置(用戶可以采用制冷機做變溫霍爾測試)

5-4

The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}

電流源具有可調電壓和/或電源的限制

5-5

Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.

電壓測量提供了不同的輸入放大器或低電流或低電壓應用的優化。

6

軟件