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美國MMR K2500變溫霍爾效應(yīng)測試儀器

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弘度科學儀器(上海)有限公司

美國

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產(chǎn)品介紹

MMR Hall Effect Measurement System

controlled continuously variable temperature

MMR可控連續(xù)變溫霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)

1. 功能描述: 測量半導(dǎo)體薄膜中載流子類型、載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等參數(shù)

2. 測試范圍: Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材質(zhì)的半導(dǎo)體薄膜中載流子類型、載流子濃度、 遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等參數(shù)。

3. 磁場強度:0.5T 電磁場,磁場強度可以定制選擇

4. 溫度區(qū)域: 70K ~730K; 80K ~580K; 80K ~730K; 300K ~730K

5. 電阻率范圍:10-6~1013 Ohm*cm

6. 電阻范圍:10 m Ohms~ 10G Ohms

7. 載流子濃度:102~1022cm-3

8. 遷移率: 10-2~109 cm2/volt*sec

儀器優(yōu)點:

1. 采用van der Pauw法測試;

2. **可測25mmX25mm樣品,提供兩種樣品裝載方式:彈簧探針、引線治具,以及兩個杜瓦瓶:全封閉和帶玻璃窗口各一 個;

3. 配備電腦和相應(yīng)的控制軟件,測試過程以及設(shè)備內(nèi)各個單元均由軟件控制,永磁體需要手動翻轉(zhuǎn)樣品,電磁場測試過程全自 動。測試數(shù)據(jù)能夠方便的儲存和導(dǎo)出;

4. 模塊化設(shè)計,可升級到溫度范圍更廣、磁場更大的系統(tǒng),也可升級成塞貝克測量系統(tǒng);

5. 測試過程中,由于致冷或加熱所引起的樣品振動幅度在um量級或更優(yōu);

6. 在同一個樣品室下進行變溫霍爾效應(yīng)的測試,**變溫范圍70K~730K。避免更換樣品室給測試帶來的不方便性和不連貫 性,其他品牌低溫和高溫需要在高溫和低溫兩個樣品室下測試

7.允許在一定氣體環(huán)境下測試

8.提供石英透明窗口,可以測試光激發(fā)下電阻率

產(chǎn)品咨詢

美國MMR K2500變溫霍爾效應(yīng)測試儀器

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