粉體行業在線展覽
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上海載德半導體技術有限公司
韓國
面議
1118
快速熱化學氣相沉積系統 (RTCVD)
生產商：韓國Ecopia
RTCVD快速熱化學氣相沉積設備廣泛用于多晶硅、氧化硅、氮化硅等常見半導體薄膜的沉積和制備。
性能和特點：
- 溫度范圍：室溫 ~ 1500°C;
- 升溫速度：200°C/s;
- 氣體混合能力(帶有質量流量計);
- 真空度：~10-6Torr;
XRD-晶向定位
CVD 真空化學氣相沉積設備
等離子體增強化學氣相沉積系統CVD
自動劃片機
BTF-1200C-RTP-CVD
FM-W-PDS
Gasboard-2060
Pentagon Qlll
等離子化學氣相沉積系統-PECVD
定制-電漿輔助化學氣相沉積系統-詳情15345079037
