粉體行業(yè)在線展覽
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氧化鎵專用晶體生長設備
直接聯(lián)系
杭州鎵仁半導體有限公司
浙江
面議
杭州鎵仁
氧化鎵專用晶體生長設備
341
產品特性
產品概述
鎵仁半導體可提供高質量氧化鎵專用長晶設備
技術參數(shù)
晶體生長爐設備指標
**工作溫度：1820℃；
高溫工作氣氛：大氣環(huán)境（O2濃度 ≈ 21%）；
連續(xù)工作時長：≥100h ，確保完成一爐晶體生長；
晶體生長段溫度梯度：≈10 ℃/cm；
晶體生長速度：0.2 ~ 4 mm/h。
高溫工藝段控溫精度：≤ ±0.2 ℃
全溫度段控溫精度：≤ ±0.3 ℃
XRD-晶向定位
CVD 真空化學氣相沉積設備
等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)CVD
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BTF-1200C-RTP-CVD
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