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氮化鎵高壓助熔劑晶體生長設備

氮化鎵高壓助熔劑晶體生長設備

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山東晶升電子科技有限公司

山東

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晶升電子

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氮化鎵高壓助熔劑晶體生長設備

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簡介 ： 1.Na助溶劑液相外延生長2-4 英寸GaN晶片，也可用于高壓助熔劑法探索新型氮化物晶體。 2.助熔劑法（Na FLUX METHOD）生長氮化鎵（GaN）單晶具有諸多優勢是目前國際上公認的可實現高質量、大尺寸氮化鎵體單晶產業化生產的生長技術之一。 3.雙溫區加熱，**使用溫度1000°C，**壓力9 Mpa。 4.氮氣溶解速度快，分布均勻，生長速度可達30 微米/小時。 5.可外延生長 

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