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高真空電阻熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)
面議
鵬城微納
高真空電阻熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)
1147
高真空電阻熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)(高真空鍍膜機(jī))采用電阻熱蒸發(fā)技術(shù),它是在高真空條件下,通過(guò)加熱材料的方法,在襯底上沉積各種化合物、混合物單層或多層膜。可用于生產(chǎn)和科學(xué)實(shí)驗(yàn),可根據(jù)用戶要求專門訂制;可用于材料的物理和化學(xué)研究;可用于制備金屬導(dǎo)電電極;可用于有機(jī)材料的物理化學(xué)性能研究實(shí)驗(yàn)、有機(jī)半導(dǎo)體器件的原理研究實(shí)驗(yàn)、OLED實(shí)驗(yàn)研究及有機(jī)太陽(yáng)能薄膜電池研究實(shí)驗(yàn)等。
設(shè)備構(gòu)成
-單鍍膜室
-單鍍膜室+進(jìn)樣室
-單鍍膜室+手套箱(可將鍍膜室放在手套箱內(nèi))
-單鍍膜室+進(jìn)樣室+手套箱(可將鍍膜室放在手套箱內(nèi))
-多鍍膜室+樣品傳遞室+手套箱(組成團(tuán)簇式結(jié)構(gòu),樣品傳遞采用真空機(jī)械手)
設(shè)備組成
電阻熱蒸發(fā)源組件、樣品掩膜擋板系統(tǒng)、真空獲得系統(tǒng)及真空測(cè)量系統(tǒng)、分子泵(或冷泵)真空機(jī)組、旋轉(zhuǎn)基片加熱臺(tái)、工作氣路、手套箱連接部件、樣品傳遞機(jī)構(gòu),膜厚控制系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、恒溫冷卻水系統(tǒng)等組成。
熱蒸發(fā)源類型和數(shù)量,可根據(jù)用戶需要進(jìn)行配置。
可選件:膜厚監(jiān)控儀,恒溫制冷水箱。
熱蒸發(fā)源種類及配置
電阻熱蒸發(fā)源組件:數(shù)量:1~12套(可根據(jù)用戶要求配裝);
電阻熱蒸發(fā)源種類:鉭(鎢或鉬)金屬舟熱蒸發(fā)源組件、石英舟熱蒸發(fā)源組件、鎢極或鎢藍(lán)熱蒸發(fā)源組件、鉭爐熱蒸發(fā)源組件(配氮化硼坩堝或陶瓷坩堝)、束源爐熱蒸發(fā)組件(配石英坩堝或氮化硼坩堝)。
高真空電阻熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)(高真空鍍膜機(jī)) 工作條件(實(shí)驗(yàn)室應(yīng)具備的設(shè)備工作條件)
供電:4kW,三相五線制~ AC 380V
工作環(huán)境濕度:10℃~ 40℃
工作環(huán)境溫度:≤50%
冷卻循環(huán)水:0.2m3/h,水溫18℃~ 25℃
水壓:0.15MPa ~ 0.25MPa
真空性能
極限真空:7×10-5Pa~7×10-6Pa
設(shè)備總體漏放率:關(guān)機(jī)12小時(shí),≤10Pa
操作方式
手動(dòng)、半自動(dòng)
團(tuán)簇式OLED真空蒸鍍工藝裝備
金剛石散熱晶圓片
分子束外延薄膜生長(zhǎng)設(shè)備(MBE)
MOCVD 金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備
PECVD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備
LPCVD 低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備
HFCVD 熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備
高真空電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)
高真空電阻熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)
高真空磁控濺射儀
化合物半導(dǎo)體
TEM 熱、電、氣、液、冷凍樣品桿
X-300 X-FLUXER? 三位全自動(dòng)熔片儀
合金分析儀
SHM1000
其他
NAI-ZLY-4/6C
CX-100
EMC-1
HMYX-2000
EXAKT 80E
NJ-80型
GPZT-JH10/4W