粉體行業在線展覽
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PECVD 等離子體增強化學氣相沉積設備
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鵬城微納技術（沈陽）有限公司
沈陽
面議
鵬城微納
PECVD 等離子體增強化學氣相沉積設備
1009
PECVD 等離子體增強化學氣相沉積設備主要用于在潔凈真空環境下進行氮化硅和氧化硅的薄膜生長；采用單頻或雙頻等離子增強型化學氣相沉積技術，是沉積高質量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設備。
設備用途和功能特點
1、該設備是高真空單頻或雙頻等離子增強化學氣相沉積PECVD薄膜設備，主要用于制備氮化硅和氧化硅薄膜。
2、設備保護功能強，具備真空系統檢測與保護、水壓檢測與保護、相序檢測與保護、溫度檢測與保護。
3、配置尾氣處理裝置。
設備安全性設計
1、電力系統的檢測與保護
2、設置真空檢測與報警保護功能
3、溫度檢測與報警保護
4、冷卻循環水系統的壓力檢測和流量檢測與報警保護
設備技術指標
| 類型 | 參數 |
|---|---|
| 樣片尺寸 | ≤φ8英寸（或多片2英寸） |
| 樣片加熱臺加熱溫度 | 室溫～ 600℃±0.1℃ |
| 真空室極限真空 | ≤7×10-5Pa |
| 工作背景真空 | ≤8×10-4Pa |
| 設備總體漏放率 | 停泵12小時后，真空度≤10Pa |
| 樣品、電極間距 | 5mm ～ 50mm在線可調 |
| 工作控制壓強 | 10Pa ～ 1500Pa |
| 氣體控制回路 | 根據工藝要求配置 |
| 單頻電源的頻率 | 13.56MHz |
| 雙頻電源的頻率 | 13.56MHz/400KHz |
工作條件
| 類型 | 參數 |
|---|---|
| 供電 | 三相五線制 AC 380V |
| 工作環境溫度 | 10℃～ 40℃ |
| 氣體閥門供氣壓力 | 0.5MPa ～ 0.7MPa |
| 質量流量控制器輸入壓力 | 0.05MPa ～ 0.2MPa |
| 冷卻水循環量 | 0.6m3/h 水溫18℃～ 25℃ |
| 設備總功率 | 7kW |
| 設備占地面積 | 2.0m ～ 2.0m |
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