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MMR變溫變磁場(chǎng)霍爾效應(yīng)測(cè)試儀器

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上海沃埃得貿(mào)易有限公司

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面議

關(guān)注度:

972

產(chǎn)品介紹

1.設(shè)名稱: 霍爾效應(yīng)測(cè)試儀
2.功能描述: 測(cè)量半導(dǎo)體薄膜中載流子類型、載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等參數(shù)
3.設(shè)備明細(xì):
3-1 測(cè)試范圍: Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材質(zhì)的半導(dǎo)體薄膜中載流子類型、載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等參數(shù)
3-2 磁場(chǎng):
3-2-1 磁場(chǎng)強(qiáng)度: 0.5T 電磁體 (0.5T 永磁體 / 1.4T 電磁體 兩種磁場(chǎng)可選)
3-2-2 磁場(chǎng)類型: 電磁體
3-2-3 磁場(chǎng)均勻性: 磁場(chǎng)不均勻性<±1 %
3-3 測(cè)試樣品:
3-3-1 樣品測(cè)試倉(cāng): 全封閉、帶玻璃窗口
3-4 溫 度:
3-4-1 溫度區(qū)域: 80K ~730K
3-4-2 溫控精度: 0.1K
3-4-3 溫控穩(wěn)定性: ±0.1 K
3-5 電阻率范圍: 10-6~1013 Ohm*cm
3-6 電阻范圍: 10 m Ohms~ 10G Ohms
3-7 載流子濃度: 102~1022cm-3
3-8 遷移率: 10-2~109 cm2/volt*sec
3-9 輸入電流:
3-9-1 電流范圍: 0.1 pA~10mA
3-9-2 電流精度: 2%
3-10 輸入電壓:
3-10-1 電壓范圍: ±2.5V,*小可測(cè)到6×10-6V
3-10-2 電壓分辨率: 3×10-7V
3-10-3 電壓精度: 2%

產(chǎn)品咨詢

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