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分子束外延薄膜生長設備（MBE)（分子束外延MBE）該設備可以在某些襯底上實現(xiàn)外延生長工藝，實現(xiàn)分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等。可以進行第二代半導體和第三代半導體的工藝驗證和外延片的生長制造。

分子束外延薄膜生長設備在薄膜外延生長時具有超高的真空環(huán)境，是在理想的環(huán)境下進行薄膜外延生長，它可以排除在薄膜生長時的各種干擾因素，得到理想的高精度薄膜。
我公司設計制造的分子束外延薄膜生長實驗設備，分實驗型和生產(chǎn)型兩種 ，配置合理，結構簡單，操作方便，技術先進，性能可靠，用途多，實用性強，價格相對較低，可供各大學的實驗室及科研機構作為分子束外延方面的教學實驗、科學研究及工藝實驗之用。生產(chǎn)型MBE可用于小批量外延片的制備。

功能特點

本項目于2005年在國內(nèi)率先完成了成套MBE的全國產(chǎn)化研發(fā)設計和制造，做到自主可控。自主設計MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、RHEED原位實時在線監(jiān)控儀、直線型電子槍、高溫束源爐、束源爐電源、高溫樣品臺、膜厚儀（可計量外延生長的分子層數(shù)）等核心部件。