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立式LPCVD低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備是半導(dǎo)體集成電路制造的重要工序之一，本設(shè)備主要用于：8-12英寸硅片SiO2-LTO TEOS、SIPOS-含氧多晶硅、SI3N4-氮化硅、BPSG-磷硅玻璃、POLY-多晶硅、TEOS-氧化硅薄膜的生長。它是將原材料氣體（或者液態(tài)源氣化）用熱能激活發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而在基片表面生成固體薄膜。低壓化學(xué)氣相淀積是在低壓下進(jìn)行的，由于氣壓低，氣體分子平均自由程大,使生長的薄膜均勻性好,而且基片可以豎放而裝片量大，特別適用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導(dǎo)纖維等行業(yè)的工業(yè)化生產(chǎn)專用設(shè)備，采用電腦工控機(jī)軟件控制方式，是其性能技術(shù)指標(biāo)已經(jīng)達(dá)到國際先進(jìn)技術(shù)水平。