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EMPro多入射角激光橢偏儀

直接聯(lián)系

北京賽凡光電儀器有限公司

北京

產(chǎn)品規(guī)格型號
參考報價:

面議

關(guān)注度:

673

產(chǎn)品介紹

EMPro是針對高端研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的**型多入射角激光橢偏儀。

EMPro可在單入射角度或多入射角度下進行高精度、高準確性測量。可用于測量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k;也可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k;亦可用于實時測量快速變化的納米薄膜動態(tài)生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。多入射角度設(shè)計實現(xiàn)了納米薄膜的**厚度測量。

EMPro采用了量拓科技多項**技術(shù)。

特點

  • 原子層量級的極高靈敏度

  • 百毫秒量級的快速測量

  • 簡單方便的儀器操作

應(yīng)用:
EMPro適合于高精度要求的科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)或質(zhì)量控制。EMPro可用于測量單層或多層納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k;可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k;可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。EMPro可應(yīng)用的納米薄膜領(lǐng)域包括:微電子、半導體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質(zhì)存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。可應(yīng)用的塊狀材料領(lǐng)域包括:固體(金屬、半導體、介質(zhì)等),或液體(純凈物或混合物)。

技術(shù)指標:

項目

技術(shù)指標

儀器型號

EMPro31

激光波長

632.8nm (He-Ne Laser)

1)膜層厚度精度

0.01nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)

1)折射率精度

1x10-4 (對于Si基底上100nm的SiO2膜層)

單次測量時間

與測量設(shè)置相關(guān),典型0.6s

結(jié)構(gòu)

PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度)

激光光束直徑

1mm

入射角度

40°-90°可手動調(diào)節(jié),步進5°

樣品方位調(diào)整

  • Z軸高度調(diào)節(jié):±6.5mm
  • 二維俯仰調(diào)節(jié):±4°
  • 樣品對準:光學自準直和顯微對準系統(tǒng)

樣品臺尺寸

平面樣品直徑可達Φ170mm

**的膜層范圍

  • 透明薄膜可達4000nm
  • 吸收薄膜則與材料性質(zhì)相關(guān)

**外形尺寸

887 x 332 x 552mm (入射角為90º時)

儀器重量(凈重)

25Kg

選配件

  • 水平XY軸調(diào)節(jié)平移臺
  • 真空吸附泵

軟件

ETEM軟件:

  • 中英文界面可選;
  • l多個預設(shè)項目供快捷操作使用;
  • l單角度測量/多角度測量操作和數(shù)據(jù)擬合;
  • 方便的數(shù)據(jù)顯示、編輯和輸出
  • 豐富的模型和材料數(shù)據(jù)庫支持

注:(1)精度:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續(xù)測量25次所計算的標準差。

性能保證:

  • 高穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、先進的采樣方法以及低噪聲探測技術(shù),保證了高穩(wěn)定性和高準確度
  • 高精度的光學自準直系統(tǒng),保證了快速、高精度的樣品方位對準
  • 穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)設(shè)計、可靠的樣品方位對準,結(jié)合先進的采樣技術(shù),保證了快速、穩(wěn)定測量
  • 分立式的多入射角選擇,可應(yīng)用于復雜樣品的折射率和**厚度的測量
  • 一體化集成式的儀器結(jié)構(gòu)設(shè)計,使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高,并節(jié)省空間
  • 一鍵式軟件設(shè)計以及豐富的物理模型庫和材料數(shù)據(jù)庫,方便用戶使用

產(chǎn)品咨詢

EMPro多入射角激光橢偏儀

北京賽凡光電儀器有限公司

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