粉體行業在線展覽
SiC高溫退火設備
面議
山東力冠
SiC高溫退火設備
792
技術指標/Technical Indicators:
晶片尺寸: 4/6英寸 Wafer size: 4/6 inches | 工作溫度范圍: 800-2000°C Perating temperature range: 800-2000°C |
裝片量: 50/80片 Loading capacity: 50/80 tablets |
應用范圍/Scope:
? 用于SiC基半導體材料的離子激活和退火處理
lon activation and annealing treatment for SiC-based semiconductor materials
XRD-晶向定位
CVD 真空化學氣相沉積設備
等離子體增強化學氣相沉積系統CVD
自動劃片機
BTF-1200C-RTP-CVD
FM-W-PDS
Gasboard-2060
Pentagon Qlll
等離子化學氣相沉積系統-PECVD
定制-電漿輔助化學氣相沉積系統-詳情15345079037