粉體行業在線展覽
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碳化硅MOS SBD晶圓
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杭州華創晶瑞科技有限公司
江蘇
面議
華創晶瑞
碳化硅MOS SBD晶圓
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碳化硅二極管和碳化硅 MOSFET芯片目前已有產品650V、900V、1200V和1700V等各種規格及客需化定制。隨著**代硅半導體及第二代砷化鎵半導體材料發展的成熟，其器件應也趨于極限。現代科技越來越多的領域需要工作頻率高，功率密度高，耐高溫，化學穩定性好以及可以在強輻射環境中工作的材料，因此第三代半導體(即寬禁帶半導體，禁帶寬度大于2.2eV)受到了人們的極大關注，這些材料包括SiC，GaN,金剛石等。
4英寸導電型碳化硅襯底
6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底
碳化硅晶錠晶棒
8英寸導電型碳化硅襯底
2英寸導電型碳化硅襯底
4、6英寸低阻高摻p型碳化硅襯底
4~8英寸碳化硅外延
氮化鎵襯底 外延
4英寸3C N型碳化硅襯底
7N 碳化硅粉料
碳化硅MOS SBD晶圓
2~6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底
