粉體行業在線展覽
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4、6英寸低阻高摻p型碳化硅襯底
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杭州華創晶瑞科技有限公司
浙江
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華創晶瑞
4、6英寸低阻高摻p型碳化硅襯底
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產品介紹
利用液相法生長的P型碳化硅襯底具有低電阻、高摻雜濃度、高品質等優勢，能滿足n溝道SiC IGBT、GTO等高壓雙極型器件的制備需求
主要指標
晶型：4H/6H-P型
尺寸：99.5~100 mm 145.5-150.0mm
厚度：350±25 μm
微管密度：＜0.1 cm-2
電阻率：0.06~0.11 Ω?cm
表面粗糙度：Ra<0.2nm
4英寸導電型碳化硅襯底
6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底
碳化硅晶錠晶棒
8英寸導電型碳化硅襯底
2英寸導電型碳化硅襯底
4、6英寸低阻高摻p型碳化硅襯底
4~8英寸碳化硅外延
氮化鎵襯底 外延
4英寸3C N型碳化硅襯底
7N 碳化硅粉料
碳化硅MOS SBD晶圓
2~6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底
