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>4、6英寸低阻高摻p型碳化硅襯底

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4、6英寸低阻高摻p型碳化硅襯底

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杭州華創(chuàng)晶瑞科技有限公司

浙江

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品牌：

華創(chuàng)晶瑞

型號：

4、6英寸低阻高摻p型碳化硅襯底

關(guān)注度：

406

產(chǎn)品介紹

利用液相法生長的P型碳化硅襯底具有低電阻、高摻雜濃度、高品質(zhì)等優(yōu)勢，能滿足n溝道SiC IGBT、GTO等高壓雙極型器件的制備需求

主要指標(biāo)

晶型：4H/6H-P型

尺寸：99.5~100 mm 145.5-150.0mm

厚度：350±25 μm

微管密度：＜0.1 cm-2

電阻率：0.06~0.11 Ω?cm

表面粗糙度：Ra<0.2nm

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4、6英寸低阻高摻p型碳化硅襯底

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