粉體行業(yè)在線(xiàn)展覽
粉體行業(yè)在線(xiàn)展覽
8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底
直接聯(lián)系
杭州華創(chuàng)晶瑞科技有限公司
浙江
面議
華創(chuàng)晶瑞
8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底
178
技術(shù)優(yōu)勢(shì)
晶體利用率高，成本低 品質(zhì)達(dá)到P-MOS級(jí)
采用PVT長(zhǎng)晶法
籽晶粘結(jié)成功率接近100%
平均生長(zhǎng)速度0.13-0.16mm/h
長(zhǎng)晶良率高于行業(yè)水平
加工良率達(dá)到90%
有效的降低了單片成本。
SiC 晶錠一致性非常優(yōu)秀
晶片表面粗糙度0.075納米
產(chǎn)品咨詢(xún)
8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底
杭州華創(chuàng)晶瑞科技有限公司請(qǐng)?zhí)顚?xiě)您的姓名：*
請(qǐng)?zhí)顚?xiě)您的電話(huà)：*
請(qǐng)?zhí)顚?xiě)您的郵箱：*
請(qǐng)?zhí)顚?xiě)您的單位/公司名稱(chēng)：*
請(qǐng)?zhí)岢瞿膯?wèn)題：*
您需要的服務(wù)：
中國(guó)粉體網(wǎng)保護(hù)您的隱私權(quán)：請(qǐng)參閱 我們的保密政策 來(lái)了解您數(shù)據(jù)的處理以及您這方面享有的權(quán)利。 您繼續(xù)訪(fǎng)問(wèn)我們的網(wǎng)站，表明您接受 我們的使用條款
4英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底
6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底
碳化硅晶錠晶棒
8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底
2英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底
4、6英寸低阻高摻p型碳化硅襯底
4~8英寸碳化硅外延
氮化鎵襯底 外延
4英寸3C N型碳化硅襯底
7N 碳化硅粉料
碳化硅MOS SBD晶圓
2~6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底
