粉體行業在線展覽
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8英寸導電型碳化硅襯底
直接聯系
杭州華創晶瑞科技有限公司
浙江
面議
華創晶瑞
8英寸導電型碳化硅襯底
322
技術優勢
晶體利用率高，成本低 品質達到P-MOS級
采用PVT長晶法
籽晶粘結成功率接近100%
平均生長速度0.13-0.16mm/h
長晶良率高于行業水平
加工良率達到90%
有效的降低了單片成本。
SiC 晶錠一致性非常優秀
晶片表面粗糙度0.075納米
4英寸導電型碳化硅襯底
6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底
碳化硅晶錠晶棒
8英寸導電型碳化硅襯底
2英寸導電型碳化硅襯底
4、6英寸低阻高摻p型碳化硅襯底
4~8英寸碳化硅外延
氮化鎵襯底 外延
4英寸3C N型碳化硅襯底
7N 碳化硅粉料
碳化硅MOS SBD晶圓
2~6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底
