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全球寬禁帶半導體材料及器件正處于快速發展期，產品廣泛應用于5G通信、軌道交通、新能源汽車及充電樁、新能源、儲能、大數據中心、工控等下游領域。其中，半絕緣型碳化硅襯底主要應用于5G通信、雷達系統、導引頭、衛星通信、戰機等領域，具有提升射頻范圍、超遠距離識別、抗干擾以及高速、大容量信息傳遞等應用優勢，被視為制作微波功率器件*理想的襯底。以半絕緣型碳化硅襯底為基礎制備的射頻器件具有與硅基器件相比具有更高的工作頻率和功率密度等特點，因此隨著通信技術的迭代，具有明確而廣泛的應用前景。