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導(dǎo)電型單晶襯底

直接聯(lián)系

江陰晶沐光電新材料有限公司

江蘇

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)

參考報(bào)價(jià)：

面議

品牌：

晶沐光電

型號(hào)：

導(dǎo)電型單晶襯底

關(guān)注度：

280

產(chǎn)品介紹

介紹：碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料，屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料。碳化硅是由C和Si元素按1：1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，硬度僅次于金剛石。它具有高硬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)等優(yōu)異特性。

應(yīng)用：新能源汽車領(lǐng)域：在電動(dòng)汽車的電驅(qū)系統(tǒng)、車載充電系統(tǒng)（OBC）、車載DC/DC及非車載充電樁等組件中廣泛應(yīng)用。例如在電動(dòng)車逆變器中，使用4H-N型導(dǎo)電碳化硅晶片制成的功率器件，可使整車能耗更低、尺寸更小、充電更快、續(xù)航里程更長(zhǎng)。

?產(chǎn)品規(guī)格書

碳化硅4H-N導(dǎo)電型單晶襯底（2~8英寸）
直徑	50.8mm	100.0mm	150.0mm	200.0mm
厚度	350μm	350μm	350μm	500μm
表面晶向	Off-Axis：4°toward <11-20>±0.5°
主參考面晶向	Parallel to <11-20>±1°			<1-100>±1°
主參考面長(zhǎng)度	16.0mm	32.5mm	47.5mm	Notch
次參考面位置	Silicon face up: 90.0? CW from Primary ± 5.		N/A	N/A
次參考面長(zhǎng)度	8.0mm	18.0mm	N/A	N/A
電阻率	0.014～0.028Ω?cm
正面狀態(tài)	Si-Face：CMP,Ra<0.2nm
反面狀態(tài)	C-Face：Optical Polish,Ra<0.5nm
鐳刻碼面	Back side：C-Face
總厚度偏差TTV	≤10μm	≤15μm	≤15μm	≤20μm
彎曲度BOW	≤25μm	≤30μm	≤40μm	≤60μm
翹曲度WARP	≤30μm	≤40μm	≤60μm	≤80μm
邊緣去除	≤3 mm

?產(chǎn)品性能表

碳化硅單晶 Silicon carbide
晶體結(jié)構(gòu)	六方晶體
禁帶寬度(eV)	3.26eV
熔點(diǎn)（℃）	2730℃
莫氏硬度(mohs)	9.2
熱導(dǎo)率(W·cm^-1·℃^-1)	4.9W·cm^-1·℃^-1
熱膨脹系數(shù)(℃^-1)	4.7×10^-6
晶格常數(shù)(nm)	a=0.3076 c=0.5048
電子遷移率（cm^-2·V^-1·s^-1）	720^a650^c
擊穿電場(chǎng)(MV·cm^-1)	3.1
JFM指數(shù)（power）	410
BFM指數(shù)(SW)	290
BHFM指數(shù)(RF)	34
折射率	2.6767～2.6480

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