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碳化硅襯底

碳化硅襯底

直接聯(lián)系

江陰晶沐光電新材料有限公司

江蘇

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)
參考報(bào)價(jià):

面議

品牌:

晶沐光電

型號(hào):

碳化硅襯底

關(guān)注度:

297

產(chǎn)品介紹

介紹碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料,屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料。碳化硅是由C和Si元素按1:1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料,硬度僅次于金剛石。它具有高硬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)等優(yōu)異特性。

?

應(yīng)用:激光剝離測(cè)試材料,半導(dǎo)體芯片材料的分析與測(cè)試,高端光學(xué)領(lǐng)域。

?

產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

???

碳化硅晶棒及特殊尺寸規(guī)格

型號(hào)

4H-N導(dǎo)電型 ∣ 4H-HPSI高純半絕緣型

類型

晶錠與晶棒

晶片

異形規(guī)格

尺寸規(guī)格案例1

4英寸*T10mm晶棒

2英寸*T3.0mm厚片

碳化硅圓環(huán)方塊

尺寸規(guī)格案例2

6英寸*T20mm晶棒

2英寸*T0.1mm超薄

碳化硅眼鏡光學(xué)鏡片

尺寸規(guī)格案例3

8英寸*T20mm晶棒

3英寸*T5.0mm厚片

碳化硅打孔

尺寸規(guī)格案例4

2~8寸晶錠

6英寸*T1.0mm厚片

碳化硅激光切割

尺寸規(guī)格案例5

晶棒拋光

直徑159*T0.725mm載片

碳化硅雕刻





表面狀態(tài)

切割

研磨

拋光

?

??

產(chǎn)品性能表

?

碳化硅單晶 Silicon carbide

晶體結(jié)構(gòu)

六方晶體

禁帶寬度(eV)

3.26eV

熔點(diǎn)(℃)

2730℃

莫氏硬度(mohs)

9.2

熱導(dǎo)率(W·cm-1·℃-1)

4.9W·cm-1·℃-1

熱膨脹系數(shù)(℃-1)

4.7×10-6

晶格常數(shù)(nm)

a=0.3076 c=0.5048

電子遷移率(cm-2·V-1·s-1

720650c

擊穿電場(chǎng)(MV·cm-1)

3.1

JFM指數(shù)(power)

410

BFM指數(shù)(SW)

290

BHFM指數(shù)(RF)

34

折射率

2.6767~2.6480

?


產(chǎn)品咨詢

碳化硅襯底

碳化硅襯底

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碳化硅襯底 - 297
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